SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) ทรัพยากรและวิธีการต่าง ๆ มากมายกำลังเดินหน้าเข้าไปสู่การพัฒนา SDRAM และมันก็เริ่มปรากฏโฉมให้เห็นตามหน้าโฆษณาคอมพิวเตอร์ต่าง ๆ แล้ว และสำหรับเหตุผลสองประการของการเพิ่มความนิยมกันอย่างมากคือ ประการแรก SDRAM สามารถที่จะจัดการความเร็วของบัสได้ถึง 100 MHz ประการที่สอง SDRAM มีความสอดคล้องกับระบบนาฬิกาของตัวมันเอง ซึ่งความสามารถทางด้านเทคนิคนี้วิศวกรคอมพิวเตอร์ทั้งหลายยังรู้สึกได้ว่ามันเป็นอะไรที่ยากจะเข้าใจได้ แม้จนกระทั่งถึงทุกวันนี้ก็ตาม นอกจากนั้นเทคโนโลยีของ SDRAM ยังให้เพจของหน่วยความจำเปิดได้ถึงสองเพจในเวลาเดียวกันอีกด้วย มาตรฐานใหม่สำหรับ SDRAM ได้ถูกพัฒนาขึ้นโดยองค์กรที่มีชื่อว่า SCIzzL ซึ่งมีที่ตั้งอยู่ที่มหาวิทยาลัยแซนตาคลารา ( รัฐแคลิฟอร์เนีย ) ซึ่งร่วมมือกับบริษัทอุตสาหกรรมชั้นแนวหน้าอีกหลายบริษัท โดยเราเรียกว่า SLDRAM เทคโนโลยีนี้ได้รับการพัฒนาพบ SDRAM โดยการรองรับความเร็วของบัสที่มากกว่าเดิมและการใช้แพ็กเกต ( แพ็กขนาดเล็กของข้อมูล ) เพื่อทำหน้าที่คอยดูแลความต้องการของแอดเดรส การคำนวณเวลา และคำสั่งที่ไปถึง DRAM ผลลัพธ์ที่ได้คือการอาศัยการปรับปรุงที่น้อยกว่าในการออกแบบชิปของ DRAM และรวมไปถึงราคาที่ต่ำกว่ามาก สำหรับหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงเช่นนี้
DRAM |
Dynamic Random Access Memory หรือ DRAM หรือ ดีแรม คือ แรม (Random Access Memory; RAM) หรือ หน่วยความจำชนิดปกติสำหรับเครื่องคอมพิวเตอร์พีซีและเครื่องเวิร์คสเตชั่น (Workstation) หน่วยความจำคือเครือข่ายของประจุไฟฟ้าที่เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้เก็บข้อมูลในรูปของ "0" และ "1" ที่สามารถเข้าถึงได้ง่ายๆ Random Access หรือ การเข้าถึงแบบสุ่ม หมายถึง โปรเซสเซอร์สามารถเข้าถึงทุกๆส่วนของหน่วยความจำหรือพื้นที่เก็บข้อมูลได้โดยตรง ไม่จำเป็นต้องค้นหาข้อมูลที่ต้องการเรียงตามลำดับจากจุดเริ่มต้น DRAM คือไดนามิก ซึ่งตรงกันข้ามกับ SRAM หรือ สแตติกแรม (Static RAM); DRAM ต้องการการรีเฟรช (Refresh) เซลเก็บข้อมูล หรือการประจุไฟ (Charge) ในทุกๆช่วงมิลลิวินาที ในขณะที่ SRAM ไม่ต้องการการรีเฟรชเซลเก็บข้อมูล เนื่องจากมันทำงานบนทฤษฎีของการเคลื่อนที่ของกระแสไฟฟ้าซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงใน 2 ทิศทาง ไม่เหมือนกับเซลเก็บข้อมูลซึ่งเป็นเพียงตัวเก็บประจุไฟฟ้าเท่านั้น โดยทั่วไป SRAM มักจะถูกใช้เป็นหน่วยความจำแคช (Cache Memory) ซึ่งโปรเซสเซอร์สามารถเข้าถึงได้เร็วกว่า DRAM จะเก็บทุกๆบิตในเซลเก็บข้อมูล ซึ่งประกอบขึ้นด้วยกลุ่มตัวเก็บประจุ (คาปาซิเตอร์; Capacitor) และทรานซิสเตอร์ (Transistor) คาปาซิเตอร์จะสูญเสียประจุไฟฟ้าอย่างรวดเร็ว และนั่นเป็นเห็นเหตุผลว่า ทำไม DRAM จึงต้องการการรีชาร์ต ปัจจุบัน มีแรมมากมายหลากหลายชนิดในท้องตลาด เช่น EDO RAM, SDRAM และ DDR SDRAM เป็นต้น |
DDR-RAM (ดีดีอาร์ แรม) หรือ DDR SDRAM ย่อมาจากคำว่า "Double Data Rate SDRAM" คือ หน่วยความที่ใช้เก็บข้อมูลชั่วคราว (Ram) ที่ได้รับการพัฒนา และ ยึดถือหลักการทำงานตามปกติของหน่วยความจำแบบ SD-RAM จึงทำให้ทำงานได้เหมือนกัน SD-RAM แทบทุกอย่าง แตกต่างกันตรงที่ DDR-RAM สามารถทำงานที่ความเร็วสูงกว่า 200MHz (เมกะเฮิร์ตซ) ขึ้นไปได้ และมีความสามารถในการรับส่งข้อมูลเพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า คือ รับส่งข้อมูลได้ทั้งทั้งขาขึ้นและขาลงของสัญญาณนาฬิกา เทียบกับSD-RAM ปกติที่จะรับส่งข้อมูลเฉพาะขาขึ้นของสัญญาณนาฬิกาเพียงด้านเดียวคะ แรมชนิดนี้สังเกตุได้จากมีจำนวนขาสัญญาณ(Pins) 184 ขา และเขี้ยวที่ด้านสัมผัสทองแดงมีอยู่ที่เดียว แตกต่างจาก SD-RAM ที่มีอยู่ 2 ที่
หน่วยความจำ DDR2 เทียบกับ DDR
หน่วยความจำ DDR2 มีขนาดทางกายภาพเท่ากับ DDR แต่มีการกำหนดจำนวนขาแตกต่างกัน
ตารางด้านล่างนี้เปรียบเทียบความแตกต่าง ระหว่างหน่วยความจำ DDR และ DDR2:
| DDR2 | DDR | |
| DIMMไม่มีที่พักข้อมูล | 240 ขา 1.8 โวลต์ | 184 ขา 2.5 โวลต์ |
| DIMM ลงทะเบียน | 240 ขา 1.8 โวลต์ | 184 ขา 2.5 โวลต์ |
| SO-DIMMs | 200 ขา 1.8 โวลต์ | 200 ขา 2.5 โวลต์ |
| DIMM ลงทะเบียนขนาดเล็ก | 244 ขา 1.8 โวลต์ | — |
| MicroDIMMS | 214 ขา 1.8 โวลต์ | 172 ขา 2.5 โวลต์ |
เนื่องจากมีการกำหนดแรงดันไฟฟ้า และจำนวนขาที่แตกต่างกัน หน่วยความจำDDR2 จึงมี 'คีย์' หรือร่องที่ขั้วต่อแตกต่างไป เพื่อป้องกันไม่ให้เสียบลงช่องที่ไม่สามารถใช้งานร่วมกันได้ หน่วยความจำ DDR2 จะใส่ได้เฉพาะกับระบบ และเมนบอร์ด ที่ออกแบบมาเป็นพิเศษ เพื่อรองรับหน่วยความจำ DDR2 เท่านั้น
เเหล่งข้อมูล - http://guru.google.co.th/guru/thread?tid=23a7add9dfd2d35b
นางสาวกาญจนา จอมศรี เลขที่ 1
นางสาวขวัญฤทัย เจริญผล เลขที่ 2
นางสาวจริยา รัดถา เลขที่ 3
นางสาวจิดาภา เชื้อสาวะถี เลขที่ 4
นางสาวจิราภรณ์ เเลสงเขียว เลขที่ 5
นายสุมนัส กองศรีผิว เลขที่ 38
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น